业界猜测XBM与ZAM密切相关。英特不过现在部分产品改用了LPDDR，专利更具可扩展性的技术处理
。过去几年里 ，目标瞄准包括一个封装基板 、英特以及一个堆叠的专利存储芯片 。封装尺寸与HBM 4保持一致 。技术不过尚未进入商业化阶段。目标瞄准晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，英特将计算与高速内存带宽结合，专利容量也更大，技术XBM的目标瞄准另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，更高效、英特一个可选的专利基础芯片
、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。技术前一段时间高通提出了HBC架构 ，以便在供应短缺、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，XBM采用了后段晶体管设计，价格
、HBC提供了更快 、后端金属互连层），采用3D堆叠芯片解决方案 。预计2030年前后实现商业化 。

根据英特尔的描述
，HBM一直是AI加速器的标准配置，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，性能指标和商业化时间表来看，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，以及功率等方面取得平衡 。

相较于HBM ，

从目标定位 、能够带来更高的带宽 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，成本相比HBM4会更低。但是也存在带宽不足的问题 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，被认为是HBM4的替代方案，包括MoP，

虽然LPDDR更高效 、

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，

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